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半導(dǎo)體微電子專業(yè)英語單詞
對(duì)于英語的學(xué)習(xí)來說，單詞是重要的一部分，考生們必須認(rèn)真背誦一些英語常用單詞。下面是小編為大家送上的一些英語常用單詞，希望對(duì)大家有所幫助。
1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)
2. acceptor: 受主，如B，摻入Si中需要接受電子
3. ACCESS：一個(gè)EDA（Engineering Data Analysis）系統(tǒng)
4. Acid：酸
5. Active device：有源器件，如MOS FET（非線性，可以對(duì)信號(hào)放大）
6. Align mark(key)：對(duì)位標(biāo)記
7. Alloy：合金
8. Aluminum：鋁
9. Ammonia：氨水
10. Ammonium fluoride：NH4F
11. Ammonium hydroxide：NH4OH
12. Amorphous silicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）
13. Analog：模擬的
14. Angstrom：A（1E-10m）埃
15. Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH）
16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率）
17. ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）
18. Antimony(Sb)銻
19. Argon(Ar)氬
20. Arsenic(As)砷
21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷
22. Arsine(AsH3)
23. Asher：去膠機(jī)
24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）
25. Autodoping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?/p>
26. Back end：后段（CONTACT以后、PCM測(cè)試前）
27. Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程
28. Benchmark：基準(zhǔn)
29. Bipolar：雙極
30. Boat：擴(kuò)散用（石英）舟
31. CD： （Critical Dimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLY CD 為多晶條寬。
32. Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。
33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。
34. Chemical vapor deposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。
35. Chip：碎片或芯片。
36. CIM：computer-integrated manufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。
37. Circuit design ：電路設(shè)計(jì)。一種將各種元器件連接起來實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。
38. Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。
39. Compensation doping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。
40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅襯底上混合制造的工藝。
41. Computer-aided design（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。
42. Conductivity type：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。
43. Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。
44. Control chart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。
45. Correlation：相關(guān)性。
46. Cp：工藝能力，詳見process capability。
47. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見process capability index。
48. Cycle time：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。通常用來衡量流通速度的快慢。
49. Damage：損傷。對(duì)于單晶體來說，有時(shí)晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。
50. Defect density：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。
51. Depletion implant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。）
52. Depletion layer：耗盡層�？蓜�(dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。
53. Depletion width：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個(gè)區(qū)域的寬度。
54. Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。
55. Depth of focus（DOF）：焦深。
56. design of experiments (DOE)：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。
57. develop：顯影（通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程）
58. developer：Ⅰ）顯影設(shè)備； Ⅱ）顯影液
59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃?xì)怏w，常用來作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源
60. dichloromethane (CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。
61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氣氛中。
62. die：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。
63. dielectric：Ⅰ）介質(zhì)，一種絕緣材料； Ⅱ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。
64. diffused layer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。
65. disilane (Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會(huì)自燃。在生產(chǎn)光電單元時(shí)，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。
66. drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散。
67. dry etch：干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。
68. effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。
69. EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。
70. epitaxial layer：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導(dǎo) 體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。
71. equipment downtime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時(shí)間。
72. etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。
73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。
74. fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。
75. feature size：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。
76. field-effect transistor（FET）：場(chǎng)效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動(dòng)而工作，多子流由柵下的橫向電場(chǎng)控制。
77. film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。
78. flat：平邊
79. flatband capacitanse：平帶電容
80. flatband voltage：平帶電壓
81. flow coefficicent：流動(dòng)系數(shù)
82. flow velocity：流速計(jì)
83. flow volume：流量計(jì)
84. flux：單位時(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)
85. forbidden energy gap：禁帶
86. four-point probe：四點(diǎn)探針臺(tái)
87. functional area：功能區(qū)
88. gate oxide：柵氧
89. glass transition temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度
90. gowning：凈化服
91. gray area：灰區(qū)
92. grazing incidence interferometer：切線入射干涉儀
93. hard ：后烘
94. heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法
95. high-current implanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)
96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒
97. host：主機(jī)
98. hot carriers：熱載流子
99. hydrophilic：親水性
100. hydrophobic：疏水性
101. impurity：雜質(zhì)
102. inductive coupled plasma(ICP)：感應(yīng)等離子體
103. inert gas：惰性氣體
104. initial oxide：一氧
105. insulator：絕緣
106. isolated line：隔離線
107. implant : 注入
108. impurity n : 摻雜
109. junction : 結(jié)
110. junction spiking n :鋁穿刺
111. kerf :劃片槽
112. landing pad n AD
113. lithography n 制版
114. maintainability, equipment : 設(shè)備產(chǎn)能
115. maintenance n :保養(yǎng)
116. majority carrier n :多數(shù)載流子
117. masks, device series of n : 一成套光刻版
118. material n :原料
119. matrix n 1 :矩陣
120. mean n : 平均值
121. measured leak rate n :測(cè)得漏率
122. median n :中間值
123. memory n : 記憶體
124. metal n :金屬
125. nanometer (nm) n ：納米
126. nanosecond (ns) n ：納秒
127. nitride etch n ：氮化物刻蝕
128. nitrogen (N2 ) n： 氮?dú)�，一種雙原子氣體
129. n-type adj ：n型
130. ohms per square n：歐姆每平方: 方塊電阻
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