課外百科物理知識(shí)點(diǎn)之氫化非晶硅

　　氫化非晶硅(amorphousSi:H)

　　含有大量硅氫鍵的非晶硅稱為氫化非晶硅即a-Si:H或非晶硅氫合金，a-Si:H中含氫量達(dá)3～50。a-Si:H通常采用輝光放電法或?yàn)R射法制備，其電導(dǎo)及光電性質(zhì)密切依賴于制備條件。a-Si:H中的氫能夠補(bǔ)償非晶硅中大量存在的懸掛鍵，使其缺陷態(tài)密度大大降低，從而導(dǎo)致a-Si:H具有顯著的摻雜效應(yīng)，電導(dǎo)率可改變約10個(gè)量級(jí)。a-Si:H具有比晶體硅更高的光電導(dǎo)響應(yīng)，光電導(dǎo)與暗電導(dǎo)比值可達(dá)104～105。a-Si:H的光學(xué)帶隙約1.7eV，對(duì)整個(gè)太陽(yáng)光譜的吸收系數(shù)大于104cm-1，1μm厚的a-Si:H薄膜可以實(shí)現(xiàn)對(duì)太陽(yáng)光譜的完全吸收，因此它成為廉價(jià)太陽(yáng)電池的基礎(chǔ)材料。a-Si:H的另一重要用途是用a-Si:H制作的薄膜場(chǎng)效應(yīng)管作為液晶顯示屏的開關(guān)矩陣。

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